Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
transistor à effet de champ à jonction verticale — lauko tranzistorius su stačiąja sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical junction field effect transistor vok. Vertikalübergang Feldeffekttransistor, m rus. полевой транзистор с вертикальным p n переходом, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
vertical field-effect transistor — stačiasis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical field effect transistor; vertical channel field effect transistor vok. vertikaler Feldeffekttransistor, m rus. вертикальный полевой транзистор, m;… … Radioelektronikos terminų žodynas
vertical-channel field-effect transistor — stačiasis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical field effect transistor; vertical channel field effect transistor vok. vertikaler Feldeffekttransistor, m rus. вертикальный полевой транзистор, m;… … Radioelektronikos terminų žodynas
Transistor bipolaire a grille isolee — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
Transistor bipolaire à grille isolée — Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement … Wikipédia en Français
vertical-junction field-effect transistor — lauko tranzistorius su stačiąja sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical junction field effect transistor vok. Vertikalübergang Feldeffekttransistor, m rus. полевой транзистор с вертикальным p n переходом, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
Insulated Gate Bipolar Transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
Insulated gate bipolar transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
Carbon Nanotube Field Effect Transistor — Le transistor à effet de champ à nanotube (CNFET), utilise un nanotube de carbone mono paroi dans une structure s’apparentant à un transistor à effet de champ (FET)conventionnel Un CNFET (Carbon Nanotube Field Effect Transistor) est un dispositif … Wikipédia en Français
stačiasis lauko tranzistorius — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical field effect transistor; vertical channel field effect transistor vok. vertikaler Feldeffekttransistor, m rus. вертикальный полевой транзистор, m; полевой транзистор с вертикальной… … Radioelektronikos terminų žodynas
